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RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

產(chǎn)品參數(shù)

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。
屬性
產(chǎn)品名稱
型號(hào)
廠商性質(zhì)
訪問量
更新時(shí)間
詳情
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
RIE200/plus
生產(chǎn)廠家
89次
2024-03-18

產(chǎn)品詳情

   CIF 推出 RIE 反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用 RIE 反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE 反應(yīng)離子刻蝕。
具體包括:
◆ 介電材料(SiO2、SiNx 等)
◆ 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
◆  III-V 材料(GaAs、InP、GaN 等)
◆ 濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W 等)
◆ 類金剛石(DLC)
應(yīng)用領(lǐng)域:
主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
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產(chǎn)品特點(diǎn)

◆  7 寸彩色觸摸屏中英文互動(dòng)操作界面,自動(dòng)控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20 個(gè)配方程序,工藝數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)追溯。

◆  PLC 工控機(jī)控制整個(gè)清洗過程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

◆  真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無污染。

◆  采用防腐數(shù)字流量計(jì),  實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng), 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng), 可輸入氧氣、氬氣、 氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。

◆  采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變單孔進(jìn)氣不均勻問題。

◆  HEPA 高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

◆  符合人體功能學(xué)的 60 度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。

◆  采用頂置真空艙,上開蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

◆  上置式 360 度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。

◆  有效處理面積大,可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。

◆  安全保護(hù),艙門打開,自動(dòng)關(guān)閉電源,機(jī)器運(yùn)行、停止提示。


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